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LTC2050/LTC2050HV
4
2050fc
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
CONDITIONS
C, I SUFFIXES
H SUFFIX
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
Input Offset Voltage
(Note 2)
±0.5
±3
±0.5
±3
μV
Average Input Offset Drift
(Note 2)
l
±0.03
±0.05
μV/°C
Long-Term Offset Drift
50
nV/√mo
Input Bias Current
LTC2050
l
±20
±75
±300
±20
±75
±4000
pA
LTC2050HV
l
±1
±50
±100
±1
±50
±4000
pA
Input Offset Current
LTC2050
l
±150
±200
±150
±1000
pA
LTC2050HV
l
±100
±150
±100
±1000
pA
Input Noise Voltage
RS = 100Ω, 0.01Hz to 10Hz
1.5
μVP-P
Input Capacitance
1.7
pF
Common Mode Rejection Ratio
VCM = GND to (V+ – 1.3)
l
115
110
130
115
110
130
dB
Power Supply Rejection Ratio
VS = 2.7V to 6V
l
120
115
130
120
115
130
dB
Large-Signal Voltage Gain
RL = 10k
l
120
115
140
120
115
140
dB
Output Voltage Swing High
RL = 2k to GND
RL = 10k to GND
l
2.85
2.95
2.94
2.98
2.85
2.95
2.94
2.98
V
Output Voltage Swing Low
RL = 2k to GND
RL = 10k to GND
l
1
10
1
10
mV
Slew Rate
22
V/μs
Gain Bandwidth Product
3
MHz
Supply Current
VSHDN = VIH, No Load
VSHDN = VIL
l
0.75
1.1
10
0.75
1.2
10
mA
μA
Shutdown Pin Input Low Voltage (VIL)
l
V– + 0.5
V
Shutdown Pin Input High Voltage (VIH)
l
V+ – 0.5
V
Shutdown Pin Input Current
VSHDN = GND
l
–0.5
–3
–0.5
–3
μA
Internal Sampling Frequency
7.5
kHz
(LTC2050/LTC2050HV) The
l denotes the specications which apply over
the full operating temperature range, otherwise specications are at TA = 25°C. VS = 3V unless otherwise noted. (Note 3)
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